Крыжановская Наталья Владимировна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Быстродействующие вертикально-излучающие лазеры спектрального диапазона 1550 нм, реализованные в рамках технологии спекания пластин
   
   Квантовая электроника, 52:10 (2022),  878–884
2. Сверхвысокое модовое усиление в инжекционных полосковых лазерах и микролазерах на основе квантовых точек InGaAs/GaAs
   
   Квантовая электроника, 52:7 (2022),  593–596
3. Оптические свойства трехмерных островков InGaP(As), сформированных методом замещения элементов пятой группы
   
   Оптика и спектроскопия, 129:2 (2021),  218–222
4. Увеличение эффективности тандема полупроводниковый лазер-оптический усилитель на основе самоорганизующихся 8s квантовых точек
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1223–1228
5. Мощность насыщения оптического усилителя на основе самоорганизующихся квантовых точек
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  820–825
6. Учет подложки при расчете электрического сопротивления микродисковых лазеров
   
   Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021),  195–200
7. Молекулярно-пучковая эпитаксия нитевидных нанокристаллов InGaN на подложках SiC/Si(111) и Si(111): сравнительный анализ
   
   Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  32–35
8. Увеличение оптической мощности микродисковых лазеров InGaAs/GaAs, перенесенных на кремниевую подложку методом термокомпрессии
   
   Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  3–6
9. Исследование чувствительности микродискового лазера к изменению показателя преломления окружающей среды
   
   Письма в ЖТФ, 47:19 (2021),  30–33
10. Энергопотребление при высокочастотной модуляции неохлаждаемого InGaAs/GaAs/AlGaAs-микродискового лазера
    
    Письма в ЖТФ, 47:13 (2021),  28–31
11. Синтез InGaN-наноструктур развитой морфологии на кремнии: влияние температуры подложки на морфологические и оптические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  884–887
12. Исследование фотоотклика графена, полученного методом химического осаждения из газовой фазы
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  833–840
13. Предельная температура генерации микродисковых лазеров
    
    Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  570–574
14. MBE-grown In$_x$ Ga$_{1-x}$ As nanowires with 50% composition
    
    Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  542
15. Сравнительный анализ инжекционных микродисковых лазеров на основе квантовых ям InGaAsN и квантовых точек InAs/InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  212–216
16. Лазерная генерация перенесенных на кремний инжекционных микродисков с квантовыми точками InAs/InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 46:16 (2020),  3–6
17. Микрооптопара на базе микродискового лазера и фотодетектора с активной областью на основе квантовых ям-точек
    
    Письма в ЖТФ, 46:13 (2020),  7–10
18. Влияние саморазогрева на модуляционные характеристики микродискового лазера
    
    Письма в ЖТФ, 46:11 (2020),  3–7
19. Оценка вклада поверхностной рекомбинации в микродисковых лазерах с помощью высокочастотной модуляции
    
    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1122–1127
20. Микромассивы кремниевых нанопилларов: формирование и резонансное отражение света
    
    Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  216–220
21. Использование микродисковых лазеров с квантовыми точками InAs/InGaAs для биодетектирования
    
    Письма в ЖТФ, 45:23 (2019),  10–13
22. Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и свойства наноструктур InGaN разветвленной морфологии на кремниевой подложке
    
    Письма в ЖТФ, 45:21 (2019),  48–50
23. Особенности вольт-амперной характеристики микродисковых лазеров на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs
    
    Письма в ЖТФ, 45:19 (2019),  37–39
24. Потребление энергии для высокочастотного переключения микродискового лазера с квантовыми точками
    
    Письма в ЖТФ, 45:16 (2019),  49–51
25. Спектральные характеристики отражения микромассивов кремниевых нанопилларов
    
    Оптика и спектроскопия, 124:5 (2018),  695–699
26. Нарушение локальной электронейтральности в квантовой яме полупроводникового лазера с асимметричными барьерными слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1518–1526
27. Нитевидные нанокристаллы на основе фосфидных соединений, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1304–1307
28. Когерентный рост нитевидных нанокристаллов InP/InAsP/InP на поверхности Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 44:3 (2018),  55–61
29. Высокая характеристическая температура лазера на квантовых точках InAs/GaAs/InGaAsP с длиной волны излучения около 1.5 мкм, синтезированного на подложке InP
    
    Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1382–1386
30. Оптические свойства метаморфной гибридной гетероструктуры вертикально излучающего лазера спектрального диапазона 1300 нм
    
    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1176–1181
31. Исследование структурных и оптических свойств слоев GaP(N), синтезированных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложкаx Si(100) 4$^\circ$
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  276–280
32. Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями
    
    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  263–268
33. Лазерные характеристики инжекционного микродиска с квантовыми точками и эффективность вывода излучения в свободное пространство
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1425–1428
34. Теория мощностных характеристик лазеров на квантовой яме с асимметричными барьерными слоями: учет асимметрии заполнения электронных и дырочных состояний
    
    Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1380–1386
35. Многослойные гетероструктуры для квантово-каскадных лазеров терагерцового диапазона
    
    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  674–678
36. Инжекционные микродисковые лазеры спектрального диапазона 1.27 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  393–397
37. Лазерная генерация вертикальных микрорезонаторов с массивами квантовых точек InAs/InGaAs на длине волны 1.3 $\mu$m при оптической накачке
    
    Письма в ЖТФ, 42:19 (2016),  70–79
38. Лазеры на основе квантовых точек и микрорезонаторов с модами шепчущей галереи
    
    Квантовая электроника, 44:3 (2014),  189–200