Бугаев Алексей Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Двухфотонное поглощение полупроводниковых микрокристаллов с размерным ограничением
   
   Физика твердого тела, 34:5 (1992),  1613–1619
2. Лазерное испарение металлов при критической температуре
   
   Физика твердого тела, 34:3 (1992),  801–805
3. Спектроскопия нелинейного отклика GaAs, индуцированного генерацией свободных носителей
   
   Физика твердого тела, 32:12 (1990),  3470–3474
4. Интерференционная пикосекундная диагностика плазменно-индуцированного показателя преломления GaAs
   
   Физика твердого тела, 32:9 (1990),  2689–2693
5. Влияние нелинейной рефракции поглощения свободных носителей и многократного отражения на определение коэффициента двухфотонного поглощения в арсениде галлия
   
   Физика твердого тела, 31:12 (1989),  9–14
6. Накопительный эффект при оптическом разрушении прозрачных диэлектриков
   
   Физика твердого тела, 30:6 (1988),  1868–1870
7. Пикосекундная голографическая диагностика поглощения светового импульса в объеме кремния
   
   Физика твердого тела, 30:3 (1988),  775–779
8. Влияние микрорельефа поверхности на величину наведенного поглощения в $\mathrm{Si}$ и $\mathrm{GaAs}$ при пикосекундном возбуждении
   
   Докл. АН СССР, 296:5 (1987),  1098–1100
9. Наносекундная голографическая интерферометрия электронно-дырочной плазмы в кремнии
   
   Физика твердого тела, 29:9 (1987),  2710–2713
10. Самодифракция импульса накачки в условиях наведенного поглощения
    
    Физика твердого тела, 29:7 (1987),  1959–1962
11. Топографическая диагностика амплитудно-фазовых искажений импульса накачки в полупроводниках
    
    Письма в ЖТФ, 13:7 (1987),  404–409
12. Образование ячеистых структур на поверхности кремния при пикосекундном световом воздействии
    
    Физика твердого тела, 28:5 (1986),  1484–1488
13. Характер плавления кремния при облучении пикосекундными импульсами
    
    Физика твердого тела, 28:4 (1986),  1246–1248
14. Влияние спекл-структуры поля накачки пикосекундного импульса на величину наведенного поглощения в кремнии
    
    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1125–1129
15. Генерация мелкомасштабных структур рельефа поверхности кремния при пикосекундном воздействии
    
    Письма в ЖТФ, 12:12 (1986),  710–713
16. Ячеистые структуры рельефа поверхности кремния при плавлении пикосекундном импульсом
    
    Письма в ЖТФ, 12:4 (1986),  220–224
17. Необратимые изменения в пленке двуокиси ванадия при пикосекундном лазерном воздействии
    
    Физика твердого тела, 26:11 (1984),  3487–3489
18. Пикосекундная спектроскопия перехода полупроводник–металл в пленке двуокиси ванадия
    
    Физика твердого тела, 26:5 (1984),  1463–1467
19. Индуцированная оптическая анизотропия пленки двуокиси ванадия при пикосекундном возбуждении
    
    Физика твердого тела, 25:6 (1983),  1890–1892
20. Модуляция добротности резонатора при использовании фазового перехода «металл – полупроводник»
    
    Квантовая электроника, 8:12 (1981),  2693–2695
21. Регистрация объемного изображения на длине волны, отсутствующей в спектре излучения источника
    
    Докл. АН СССР, 255:6 (1980),  1357–1359
22. Окисная пленка ванадия как регистрирующая среда для голографии
    
    Квантовая электроника, 6:7 (1979),  1459–1463
23. Индуцированное двулучепреломление в плоских активных элементах
    
    Квантовая электроника, 2:2 (1975),  397–400