Нарзуллаев К Н

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние ширины активной области инжекционных полупроводниковых лазеров на основе GaAs на одночастотный режим генерации
   
   Квантовая электроника, 6:4 (1979),  797–802
2. Излучательные характеристики одноканального инжекционного лазера на основе GaAs
   
   Квантовая электроника, 5:1 (1978),  211–214
3. Одночастотный инжекционный полупроводниковый лазер на основе GaAs
   
   Квантовая электроника, 4:8 (1977),  1815–1816