Петров А И

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптимизация параметров квантово-размерных напряженных гетеролазерных структур InGaAs/GaAs
   
   Квантовая электроника, 20:5 (1993),  454–456
2. Лазерный диод, излучающий на длине волны 663 нм в непрерывном режиме при комнатной температуре
   
   Квантовая электроника, 18:7 (1991),  824–825
3. Исследование поляризации излучения одноканальных инжекционных лазеров
   
   Квантовая электроника, 6:8 (1979),  1789–1792
4. Непрерывный одночастотный инжекционный гетеролазер с перестройкой частоты с помощью внешнего дисперсионного резонатора
   
   Квантовая электроника, 6:6 (1979),  1264–1270
5. Влияние ширины активной области инжекционных полупроводниковых лазеров на основе GaAs на одночастотный режим генерации
   
   Квантовая электроника, 6:4 (1979),  797–802
6. Индуцированное излучение кристаллов иттрий-алюминиевого граната с неодимом при накачке инжекционными лазерами
   
   Квантовая электроника, 2:5 (1975),  1050–1054
7. Исследование инжекционных квантовых генераторов с широкой активной областью
   
   Квантовая электроника, 1:5 (1974),  1220–1222
8. Инжекционный лазер со средней мощностью излучения 200 мВт
   
   Квантовая электроника, 1:1 (1974),  163–164
9. Некоторые свойства деградации гетеролазеров
   
   Квантовая электроника, 1972, № 3(9),  108–110
10. Внутренние параметры инжекционных лазеров при 300°K
    
    Квантовая электроника, 1971, № 5,  99–101
11. Зависимость порога генерации инжекционных лазеров от длительности импульсов тока накачки
    
    Квантовая электроника, 1971, № 5,  97–99