Черный В В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Генерация характистического (K$_{\alpha}$) рентгеновского излучения при воздействии СРЭП на мишени в азимутальном магнитном поле
   
   Письма в ЖТФ, 18:16 (1992),  83–85
2. Особенности температурной зависимости константы затухания 1$A$-экситонов в кристалле CdS
   
   Физика твердого тела, 33:4 (1991),  1134–1143
3. Влияние обработки в водородной плазме на свойства полевых транзисторов на основе арсенида галлия
   
   Письма в ЖТФ, 17:11 (1991),  14–17
4. Дисперсия показателя преломления и затухание светоэкситонов в области $1B$-резонанса в кристалле CdS
   
   Физика твердого тела, 32:4 (1990),  1090–1096
5. Температурная зависимость дисперсии добавочных световых волн в CdS
   
   Физика твердого тела, 29:7 (1987),  1948–1954
6. Расчет параметров электрического импульса, формируемого в активной нагрузке системой индуктивный накопитель–плазменный эрозийный коммутатор
   
   ЖТФ, 57:10 (1987),  1904–1909
7. О предельных плотностях тока пинчующихся электронных пучков
   
   Письма в ЖТФ, 12:22 (1986),  1396–1399
8. О стратификации анодной плазмы в сильноточном диоде с пинчеванием тока
   
   Письма в ЖТФ, 12:14 (1986),  866–870
9. Антирезонансное $S{-}P$-взаимодействие в возбужденных состояниях экситонов CdS
   
   Физика твердого тела, 26:12 (1984),  3594–3602
10. Критические размеры лазерной композиционной зарощенной полосковой гетероструктуры прямоугольного сечения
    
    ЖТФ, 53:7 (1983),  1391–1393
11. О методе вычисления предельного тока релятивистских электронных пучков
    
    Прикл. мех. техн. физ., 21:4 (1980),  10–15
12. О механизме объемных разрушений полупроводников типа CdS при лазерном возбуждении
    
    Квантовая электроника, 6:5 (1979),  1105–1109