1. Влияние состава смеси на электрофизические параметры и спектры излучения плазмы $HCl–O_2$ и $HCl–Ar$ // ТВТ. 2011. Т. 49. № 4. С. 509–512.
2. Электрофизические параметры и эмиссионные спектры плазмы тлеющего разряда в хлористом водороде // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 2011. Т. 54. Вып. 9. С. 48 – 52.
3. Electrophysical Parameters and Concentrations of Active Particles
in the Plasma of $HCl$ Mixtures with Inert and Molecular Gases // Russian Microelectronics. 2014. Vol. 43. No. 5. pp. 352–357.
4. Влияние температуры на скорость травления и качество поверхности GaAs при обработке в плазме $HCl-Ar$, $HCl-Cl_2$, $HCl-H_2$ // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 2014. Т. 57. №. 7. С. 50-55.
5. Взаимодействие плазмы смесей хлороводород - аргон, - хлор, - водород с арсенидом галлия // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 2014, Т. 57, №. 8. Стр. 44-47.
6. Параметры плазмы и кинетика травления $GaAs$ в смесях $HCl+Ar$, $H_2$, и $Cl_2$ переменного начального состава // Физика и химия обработки материалов, 2015. № 6. С. 52–61.
7. Исследование поверхности $Ga As$ после травления в плазме высокочастотного и тлеющего разрядов методом атомно-силовой микроскопии // Физика и техника полупроводников, 2016. Т. 50 № 2. С. 167–170.
8. Кинетика взаимодействия высокочастотного разряда $C Cl_2 F_2$ с арсенидом галлия // Микроэлектроника, 2016. Т. 45. № 5. С. 374–378.)
