RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Любин В М

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Воздействие импульсного вакуумного ультрафиолета на пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников AsSe и As$_{2}$S$_{3}$

    ЖТФ, 62:3 (1992),  106–113
  2. Электрические свойства контакта модифицированный$-$немодифицированный стеклообразный As$_{2}$Se$_{3}$

    Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992),  918–920
  3. Применение маски As$_{2}$S$_{3}$/органический фоторезист для реактивного ионного травления полупроводников A(III)B(V)

    Письма в ЖТФ, 18:17 (1992),  85–90
  4. Фотоиндуцированный дихроизм в халькогенидном волокне As2S3

    Квантовая электроника, 19:4 (1992),  385–386
  5. Фоторефракция и фотодвулучепреломление в пленках стеклообразных полупроводников

    Физика твердого тела, 33:7 (1991),  2063–2070
  6. Исследование фотоструктурных превращений в пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников методом фотоэлектронной спектроскопии

    Физика твердого тела, 33:3 (1991),  781–785
  7. Поперечная диффузия серебра в стеклообразных пленках системы As$-$Se, стимулированная коронным разрядом

    Физика твердого тела, 33:1 (1991),  221–224
  8. Поперечная диффузия серебра в пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников

    Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  197–202
  9. Фотоиндуцированный дихроизм в пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников

    Физика твердого тела, 32:6 (1990),  1838–1845
  10. Электроностимулированное изменение скорости конденсации паров цинка на поверхности стеклообразного As$_{2}$S$_{3}$

    ЖТФ, 59:10 (1989),  161
  11. Емкостные характеристики барьера на границе Ме$-$ХСП

    Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  616–620
  12. Электрические и фотоэлектрические свойства пленок стеклообразного сульфида мышьяка, фототермолегированного цинком

    Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989),  601–606
  13. Электрофотографическая регистрация фотоструктурных превращений в стеклообразных полупроводниках

    Письма в ЖТФ, 15:20 (1989),  71–74
  14. Фотоиндуцированное двулучепреломление в пленках системы As$-$S

    Письма в ЖТФ, 15:20 (1989),  41–44
  15. Масс-спектрометрическое исследование процессов испарения токих пленок системы As$-$S

    Письма в ЖТФ, 15:9 (1989),  60–64
  16. О механизме фотоиндуцированной анизотропии в пленках стеклообразных полупроводников

    Письма в ЖТФ, 15:1 (1989),  29–33
  17. Фотопотемнение и фотоиндуцированный парамагнетизм в пленочных и монолитных образцах стеклообразного As$_{2}$S$_{3}$

    Физика твердого тела, 30:5 (1988),  1500–1502
  18. Масс-спектрометрическое исследование процессов формирования пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников системы As$-$S

    ЖТФ, 58:9 (1988),  1767–1770
  19. Двойное модифицирование стеклообразного селенида мышьяка

    Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  2093–2094
  20. Блокирование светом фотостимулированного растворения серебра в пленках As$_{2}$S$_{3}$

    Письма в ЖТФ, 14:12 (1988),  1088–1090
  21. Фотостимулированное изменение скорости конденсации паров металлов второй группы на поверхности стеклообразных полупроводников

    Физика твердого тела, 28:11 (1986),  3567–3569
  22. Особенности процессов релаксации поверхностного потенциала и термостимулированных явлений в биполярных стеклообразных полупроводниках системы Ge$-$Pb$-$S

    Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1613–1616
  23. Фотостимулированное изменение скорости конденсации паров цинка на поверхности стеклообразного $As_{2}\,S_{3}$

    Письма в ЖТФ, 12:6 (1986),  374–377
  24. Электрические и оптические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников, легированных различными методами

    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  557–559
  25. Эффект отрицательной фоторастворимости металла в халькогенидных стеклообразных полупроводниках

    Письма в ЖТФ, 11:6 (1985),  374–376
  26. Фоторастворение цинка в стеклообразном As$_{2}$S$_{3}$

    Физика твердого тела, 26:8 (1984),  2522–2524
  27. Влияние фотоструктурных превращений в пленках As$_{2}$S$_{3}$ на урбаховский край поглощения

    Физика твердого тела, 26:7 (1984),  2194–2196
  28. Исследование фотоструктурных превращений в пленках As$_{2}$S$_{3}$ методом фотоиндуцированного парамагнитного резонанса

    Физика твердого тела, 26:1 (1984),  172–178
  29. Биполярная фотопроводимость в халькогенидных стеклообразных полупроводниках системы Ge$-$Pb$-$S

    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1016–1020
  30. Особенности фотоструктурных превращений в пленках стеклообразного полупроводника As$_{2.5}$Se$_{4.5}$Ge$_{3.0}$

    Физика твердого тела, 25:8 (1983),  2496–2498
  31. Изучение фотоструктурных превращений в стеклообразном полупроводнике AsSe методом мёссбауэровской спектроскопии на примесных атомах олова

    Физика твердого тела, 25:8 (1983),  2494–2496
  32. Собственные парамагнитные центры и фотоструктурные превращения в пленках As$_{2}$S$_{3}$

    Физика твердого тела, 25:1 (1983),  287–289
  33. Механизм примесной проводимости стеклообразного селенида мышьяка, модифицированного железом

    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  353–355
  34. Влияние слабого электрического поля на фотопроводимость модифицированного стеклообразного As$_{2}$Se$_{3}$

    Письма в ЖТФ, 9:22 (1983),  1371–1373
  35. Особенности проводимости и фотопроводимости тонких слоев системы $\mathrm{Se}$ – $\mathrm{As}$ в области сильных электрических полей

    Докл. АН СССР, 161:2 (1965),  324–327

© МИАН, 2024