Баранов Алексей Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Коллективные моды в сдвоенных полупроводниковых дисковых лазерах на модах шепчущей галереи
   
   Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1273–1277
2. Инжекционные лазеры на основе InAsSb/lnAsSbP для спектроскопии высокого разрешения
   
   Квантовая электроника, 20:9 (1993),  839–842
3. Природа длинноволнового сдвига спектра когерентного излучения в гетеролазерах на основе GaInAsSb
   
   Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1971–1976
4. Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb
   
   Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  394–401
5. Оптическое отражение и определение характеристик эпитаксиальных структур InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$/InAs
   
   Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  99–101
6. Влияние распределения поля в проводящей среде на напряжение поверхностного пробоя и изоляторов коаксиальной системы
   
   ЖТФ, 60:9 (1990),  167–169
7. Природа спонтанной электролюминесценции в гетеросветодиодах на основе GaInAsSb для спектрального диапазона $1.8{-}2.4$ мкм
   
   Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1708–1714
8. Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов $p$-GaInSbAs, выращенных на подложках $n$-GaSb : Te
   
   Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1072–1078
9. Механизмы релаксации напряжений несоответствия в гетероструктурах In$_{1-x}$Ga$_{x}$As$_{1-y}$Sb$_{y}$/GaSb (${x\sim0.1}$, ${y\sim0.2}$)
   
   Физика твердого тела, 31:8 (1989),  158–163
10. Спонтанная электролюминесценция в гетеропереходах II типа на основе GaInAsSb/GaSb (${\lambda=2.5}$ мкм, ${T=300}$ K)
    
    Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1373–1377
11. Кинетика изменения концентрации структурных дефектов и их роль в рассеянии дырок в $p$-GaSb
    
    Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  780–786
12. Спектры когерентного излучения полосковых лазеров на основе GaInAsSb
    
    ЖТФ, 58:8 (1988),  1623–1626
13. Дефектообразование в GaAlSb/GaSb структурах для фотодиодов
    
    ЖТФ, 57:2 (1987),  316–321
14. Изменение концентрации природных акцепторов в $Ga\,Sb$
    
    Письма в ЖТФ, 13:18 (1987),  1103–1108
15. Влияние длины резонатора на электролюминесцентные свойства лазеров на основе $Ga\,In\,As\,Sb$
    
    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  517–523
16. Лавинное умножение в фотодиодных структурах на основе твердых растворов $Ga\,In\,As\,Sb$
    
    Письма в ЖТФ, 13:8 (1987),  481–485
17. Проявление самосогласованных квантово-размерных потенциальных ям в электролюминесцентных свойствах лазеров на основе $Ga\,In\,As\,Sb$
    
    Письма в ЖТФ, 13:8 (1987),  459–464
18. Генерация когерентного излучения в квантово-размерной структуре на одном гетеропереходе
    
    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2217–2221
19. Фотодиоды на основе твердых растворов $Ga\,In\,As\,Sb/Ga\,Al\,As\,Sb$
    
    Письма в ЖТФ, 12:21 (1986),  1311–1315
20. Квантово-размерный лазер с одиночным гетеропереходом
    
    Письма в ЖТФ, 12:11 (1986),  664–668
21. Инжекционный ($Ga\,Al\,As\,Sb/Ga\,Sb/Ga\,In\,As\,Sb$) гетеролазер с $2^x$ канальным волноводом (ДГС 2KB $\lambda=2$ мкм), работающий при комнатной температуре
    
    Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  557–561
22. Темновые токи в диодных структурах GaAlSb(As) «резонансного» состава
    
    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1605–1611
23. Исследование капиллярного эффекта в системе Ga$-$Al$-$As/GaAs
    
    ЖТФ, 53:11 (1983),  2224–2226