RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Именков Альберт Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Коллективные моды в сдвоенных полупроводниковых дисковых лазерах на модах шепчущей галереи

    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1273–1277
  2. Фотоэдс и фототок в структурах Pd–оксид–InP в атмосфере водорода

    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  946–951
  3. Инжекционные лазеры на основе InAsSb/lnAsSbP для спектроскопии высокого разрешения

    Квантовая электроника, 20:9 (1993),  839–842
  4. Природа длинноволнового сдвига спектра когерентного излучения в гетеролазерах на основе GaInAsSb

    Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1971–1976
  5. Длинноволновые лазеры на основе InAsSb/InAsSbP для спектроскопии метана ($\lambda=3.2{-}3.4$ мкм)

    Письма в ЖТФ, 18:22 (1992),  6–10
  6. Генерация когерентного излучения на $n{-}n$-границе в ДГС GaInAsSb лазерах

    Письма в ЖТФ, 18:17 (1992),  18–24
  7. Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb

    Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  394–401
  8. Влияние интерфейсной рекомбинации на пороговые характеристики GaInAsSb/GaSb лазеров

    Письма в ЖТФ, 17:17 (1991),  54–59
  9. Стабилизация излучения при наработке зарощенного InGaAsSb$-$GaSb гетеролазера ($\lambda=2$ мкм)

    Письма в ЖТФ, 17:6 (1991),  56–60
  10. Природа спонтанной электролюминесценции в гетеросветодиодах на основе GaInAsSb для спектрального диапазона $1.8{-}2.4$ мкм

    Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1708–1714
  11. Длинноволновые светодиоды на основе GaInAsSb вблизи области несмешиваемости ($\lambda=2.4{-}2.6$ мкм, $T=300$ K)

    Письма в ЖТФ, 16:24 (1990),  19–24
  12. Длинноволновые светодиоды на основе гетеропереходов InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}\bigr|$InAs ($\lambda=3.0{-}4.8$ мкм при 300 K) с широкозонным «окном»

    Письма в ЖТФ, 16:16 (1990),  42–47
  13. Измерение ширины линии излучения длинноволновых инжекционных лазеров на основе GaInAsSb

    Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  66–70
  14. Спонтанная электролюминесценция в гетеропереходах II типа на основе GaInAsSb/GaSb (${\lambda=2.5}$ мкм, ${T=300}$ K)

    Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1373–1377
  15. Высокоэффективные светодиоды на основе GaInAsSb для спектрального диапазона 1.8$-$2.4 мкм ($T=300$ K)

    Письма в ЖТФ, 15:18 (1989),  71–75
  16. Релаксация излучения и неравновесной заселенности в квантово-размерных полупроводниковых лазерах

    Письма в ЖТФ, 15:3 (1989),  79–83
  17. Спектры когерентного излучения полосковых лазеров на основе GaInAsSb

    ЖТФ, 58:8 (1988),  1623–1626
  18. Длинноволновые лазеры на основе твердых растворов GaInAsSb вблизи границы несмешиваемости ($\lambda=2.5$ мкм, $T=300$ K)

    Письма в ЖТФ, 14:20 (1988),  1839–1843
  19. Генерация излучения в канальном зарощенном лазере на основе GaInAsSb/GaSb в непрерывном режиме ($T=20$ C, $\lambda=2.0$ мкм)

    Письма в ЖТФ, 14:18 (1988),  1671–1675
  20. Высокоэффективные светодиоды на основе GaInAsSb ($\lambda=2.2$ мкм, $\eta=4$%, $T=300$ K)

    Письма в ЖТФ, 14:9 (1988),  845–849
  21. Влияние длины резонатора на электролюминесцентные свойства лазеров на основе $Ga\,In\,As\,Sb$

    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  517–523
  22. Проявление самосогласованных квантово-размерных потенциальных ям в электролюминесцентных свойствах лазеров на основе $Ga\,In\,As\,Sb$

    Письма в ЖТФ, 13:8 (1987),  459–464
  23. Поляризация излучения в квантово-размерном лазере на одном гетеропереходе

    Письма в ЖТФ, 13:6 (1987),  332–337
  24. Генерация когерентного излучения в квантово-размерной структуре на одном гетеропереходе

    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2217–2221
  25. Расширение спектральной фоточувствительности варизонных Р-П-структур за счет эффекта переизлучения

    Письма в ЖТФ, 12:20 (1986),  1241–1245
  26. Квантово-размерный лазер с одиночным гетеропереходом

    Письма в ЖТФ, 12:11 (1986),  664–668
  27. Инжекционный ($Ga\,Al\,As\,Sb/Ga\,Sb/Ga\,In\,As\,Sb$) гетеролазер с $2^x$ канальным волноводом (ДГС 2KB $\lambda=2$ мкм), работающий при комнатной температуре

    Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  557–561
  28. Координатная зависимость разности коэффициентов в варизонной $p{-}n$-структуре

    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  502–506
  29. Квантовая эффективность пластически и упруго деформированных варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур

    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2173–2176
  30. Спектральная зависимость коэффициента лавинного умножения в варизонной $p{-}n$-структуре

    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  753–755
  31. Спектры фоточувствительности варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур

    Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  125–128
  32. Электрические свойства и фотопроводимость кристаллов $\mathrm{ZnSiAs}_2$ $n$-типа

    Докл. АН СССР, 216:1 (1974),  56–58
  33. Оптические и фотоэлектрические свойства монокристаллов $\mathrm{ZnSiP}_2$

    Докл. АН СССР, 163:3 (1965),  606–608

© МИАН, 2024