RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Янькова Т Н
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Лазеры с длиной волны излучения 0.98 мкм на основе гетероструктур InGaP/GaAs/InGaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
Квантовая электроника
,
21
:10 (1994),
921–924
©
МИАН
, 2024