Зиновьев Владимир Анатольевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Рост силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CaF$_2$/Si(111), модифицированных электронным облучением
   
   Письма в ЖЭТФ, 119:9 (2024),  692–696
2. Cинтез эпитаксиальных структур, содержащих двумерные слои Si, встроенные в диэлектрическую матрицу CaF$_2$
   
   Письма в ЖЭТФ, 116:9 (2022),  608–613
3. Электронный парамагнитный резонанс в структурах с кольцевыми молекулами GeSi квантовых точек
   
   Письма в ЖЭТФ, 113:1 (2021),  58–62
4. Зависимость люминесцентных свойств упорядоченных групп Ge(Si) наноостровков от параметров ямок на структурированной поверхности подложки “кремний на изоляторе”
   
   Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1210–1215
5. Атомная структура и оптические свойства слоев CaSi$_{2}$, выращенных на CaF$_{2}$/Si-подложках
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  725–728
6. Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы
   
   Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  708–715
7. Электронный парамагнитный резонанс в Ge/Si гетероструктурах с квантовыми точками, легированными марганцем
   
   Письма в ЖЭТФ, 109:4 (2019),  258–264
8. Упорядоченные массивы квантовых точек Ge(Si), встроенные в двумерные фотонные кристаллы
   
   Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1366–1371
9. Зарождение трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)
   
   Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1346–1350
10. Исследование структурных и излучательных свойств Ge(Si) квантовых точек, упорядоченных на поверхности Si(001)
    
    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1028–1033
11. Усиление фотолюминесценции в гетероструктурах Ge/Si с двойными квантовыми точками
    
    Письма в ЖЭТФ, 104:12 (2016),  845–848
12. Элементный состав нанокластеров, формируемых импульсным облучением низкоэнергетическими ионами в процессе эпитаксии Ge/Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 79:7 (2004),  411–415
13. Эффект самоорганизации ансамбля нанокластеров Ge при импульсном облучении низкоэнергетическими ионами в процессе гетероэпитаксии на Si
    
    Письма в ЖЭТФ, 74:5 (2001),  296–299