Николаев Дмитрий Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Импульсный фотоактивируемый ключ на основе полупроводникового лазера и высоковольтного фотодиода AlGaAs/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024),  703–708
2. Исследование с помощью микро-рамановской спектроскопии радиационных дефектов, сформированных сфокусированным ионным пучком Ga$^+$ в структуре GaAs/Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As
   
   Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  552–555
3. Мощные многомодовые полупроводниковые лазеры (λ = 976 нм) на основе асимметричных гетероструктур с расширенным волноводом и пониженной расходимостью излучения в перпендикулярной плоскости
   
   Квантовая электроника, 53:5 (2023),  374–378
4. Уравнение состояния оксида железа при давлении $\le 1$ ТПа
   
   ТВТ, 61:2 (2023),  318–320
5. О влиянии травления сфокусированным пучком ионов Ga$^+$ в диапазоне энергий 12–30 кэВ на люминесцентные свойства гетероструктуры Al$_{0.18}$Ga$_{0.82}$As/GaAs/Al$_{0.18}$Ga$_{0.82}$As
   
   Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1120–1124
6. Структурно-спектроскопические исследования эпитаксиальных слоев GaAs, выращенных на податливых подложках на основе сверхструктурного слоя и протопористого кремния
   
   Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  86–95
7. Спектроскопические исследования интегрированных гетероструктур GaAs/Si
   
   Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021),  34–40
8. Измерения коэффициента пропускания кремния под воздействием излучения интенсивных ударных волн в ксеноне
   
   ТВТ, 59:6 (2021),  956–959
9. Излучение кремния при давлении ударного сжатия $68$ ГПа и в процессе разгрузки в вакуум
   
   ТВТ, 59:6 (2021),  865–868
10. Ударная сжимаемость монокристаллического кремния в диапазоне давлений $280$–$510$ ГПа
    
    ТВТ, 59:6 (2021),  860–864
11. Одномодовые лазеры (1050 нм) мезаполосковой конструкции на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs со сверхузким волноводом
    
    Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  414–419
12. Излучательные характеристики мощных полупроводниковых лазеров (1060 нм) с узким мезаполосковым контактом на основе асимметричных гетероструктур AlGaAs/GaAs с широким волноводом
    
    Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  408–413
13. Изменение люминесцентных характеристик полупроводниковых гетероструктур при ионно-лучевом травлении
    
    Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1579–1583
14. Исследование многомодовых полупроводниковых лазеров на основе гетероструктуры типа зарощенная меза
    
    Квантовая электроника, 49:12 (2019),  1172–1174
15. Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии
    
    Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  881–890
16. Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)
    
    Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  118–124
17. Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их структурные и морфологические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1131–1137
18. Эпитаксиальные твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg с различным типом проводимости
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  124–132
19. Исследование коэффициента поглощения в слоях гетероструктуры полупроводникового лазера
    
    Квантовая электроника, 45:7 (2015),  604–606
20. Влияние параметров лазерного резонатора на насыщение ватт-амперных характеристик мощных импульсных лазеров
    
    Квантовая электроника, 45:7 (2015),  597–600
21. Насыщение ватт-амперных характеристик мощных лазеров (λ = 1.0 – 1.1 мкм) в импульсном режиме генерации
    
    Квантовая электроника, 44:11 (2014),  993–996