RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Антонов Дмитрий Александрович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Исследование пленок оксида алюминия в составе мемристорных структур методом атомно-силовой микроскопии

    Физика твердого тела, 68:3 (2026),  434–439
  2. In situ исследование роста филаментов в пленках стабилизированного диоксида циркония методом контактной емкостной атомно-силовой микроскопии

    Физика твердого тела, 67:8 (2025),  1441–1445
  3. Влияние концентрации вакансий кислорода на параметры резистивного переключения в мемристорных структурах на основе ZrO$_2$(Y)

    ЖТФ, 95:9 (2025),  1733–1743
  4. Влияние температуры на диссипативное туннелирование электронов через наночастицы Co в пленках HfO$_2$

    Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2023, № 2,  108–121
  5. Features of tunneling current-voltage characteristics in dielectric films with Ni, Fe and Co nanoparticles, investigated by conductive AFM and within the framework of the theory of 1D-dissipative tunneling

    Наносистемы: физика, химия, математика, 13:6 (2022),  621–627
  6. Резистивное переключение в отдельных ферромагнитных филаментах мемристорных структур на основе ZrO$_{2}$(Y)/Ni

    ЖТФ, 91:10 (2021),  1474–1478
  7. Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии

    Письма в ЖТФ, 47:15 (2021),  23–26
  8. Формирование наноразмерных ферромагнитных филаментов Ni в пленках ZrO$_{2}$(Y)

    Письма в ЖТФ, 47:11 (2021),  30–32
  9. Резистивное переключение мемристоров на основе стабилизированного диоксида циркония сложными сигналами

    Физика твердого тела, 62:4 (2020),  556–561
  10. Исследование резонансной активации резистивного переключения в пленках ZrO$_{2}$(Y) методом атомно-силовой микроскопии

    ЖТФ, 90:11 (2020),  1825–1829
  11. Особенности двумерных бифуркаций при диссипативном туннелировании электронов в массивах Au наночастиц

    ЖТФ, 90:11 (2020),  1797–1805
  12. Исследование резистивного переключения нестационарными сигналами в пленках ZrO$_{2}$(Y) методом атомно-силовой микроскопии

    ЖТФ, 89:11 (2019),  1669–1673
  13. Морфология, электронная структура и оптические свойства самоформирующихся кремниевых наноструктур на поверхности высокоориентированного пиролитического графита

    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  57–61
  14. Особенности двумерных туннельных бифуркаций в условиях внешнего электрического поля

    Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2009, № 2,  123–135


© МИАН, 2026