Гавриленко Владимир Изяславович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Особенности “вакансионной” фотопроводимости в бесщелевых и узкозонных структурах кадмий–ртуть–теллур
   
   Письма в ЖЭТФ, 123:9 (2026),  616–621
2. Непрерывный терагерцовый квантовый каскадный лазер, выращенный методом металлоорганической газофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 60:3 (2026),  148–153
3. Возможность применения квантово-каскадных лазеров для терагерцевой абсорбционной спектроскопии образцов биологического происхождения
   
   Письма в ЖТФ, 52:8 (2026),  3–7
4. Коллимирующая оптическая система из полиметилпентена для квантово-каскадного лазера терагерцевого диапазона
   
   Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  44–47
5. Исследование спектров электролюминесценции в гетероструктурах с квантовыми ямами на основе твердых растворов HgCdTe при латеральной токовой накачке
   
   Письма в ЖТФ, 52:5 (2026),  9–13
6. Лазерное излучение в мезаструктуре с квантовыми ямами на основе HgCdTe с периодической системой гребней
   
   Физика и техника полупроводников, 59:10 (2025),  608–613
7. Терагерцовый квантовый каскадный лазер в квантующем магнитном поле
   
   Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  433–438
8. Перестройка частоты излучения квантово-каскадного лазера среднего ИК диапазона
   
   Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  13–15
9. Оптические свойства лазерных мезаструктур с квантовыми ямами HgCdTe, сформированных методом ионного травления
   
   Письма в ЖТФ, 51:19 (2025),  7–10
10. Квантовые каскадные лазеры ТГц диапазона в магнитных полях
    
    Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  196–201
11. Перестройка частоты излучения арочных квантово-каскадных лазеров среднего инфракрасного диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 50:5 (2024),  23–27
12. Одновременное наблюдение циклотронного резонанса дырок и электронов в двойной квантовой яме HgTe/CdHgTe в условиях эффекта “оптического затвора”
    
    Письма в ЖЭТФ, 118:11 (2023),  860–868
13. Генерация длинноволнового стимулированного излучения в квантовых ямах HgCdTe с увеличенным энергетическим порогом оже-рекомбинации
    
    Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023),  311–316
14. Температурное гашение терагерцовой фотолюминесценции мелких акцепторов в твердом растворе HgCdTe
    
    Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  432–437
15. Двухчастотное стимулированное излучение в гетероструктуре Hg(Cd)Te/CdHgTe
    
    Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  421–425
16. Рекомбинация в бесщелевой квантовой яме в гетероструктуре HgTe/CdHgTe
    
    Физика твердого тела, 64:2 (2022),  173–178
17. Природа структурной асимметрии в двойных квантовых ямах HgTe
    
    Письма в ЖЭТФ, 116:8 (2022),  535–543
18. Влияние оптических фононов на гашение фотолюминесценции вакансий ртути в узкозонных твердых растворах HgСdTe при повышении температуры
    
    Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1060–1065
19. Температурное затухание генерации квантово-каскадных лазеров с частотами 2.3, 3.2, 4.1 ТГц
    
    Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  705–710
20. Спектроскопия фотолюминесценции структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe в диапазоне длин волн 15–30 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  472–478
21. Квантово-каскадный лазер с частотой генерации 3.8 THz, выращенный методом металлоорганической газофазной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 48:10 (2022),  16–19
22. Фототермическая ионизационная спектроскопия вакансий ртути в эпитаксиальных пленках HgCdTe
    
    Письма в ЖЭТФ, 113:6 (2021),  399–405
23. Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K
    
    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  989–994
24. Влияние внутренних оптических потерь на генерацию стимулированного излучения в среднем ИК диапазоне в волноводных гетероструктурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe
    
    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  922–926
25. Расчет эффективности удвоения частоты излучения субтерагерцового гиротрона за счет решеточной нелинейности в монокристаллической пластине InP
    
    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  855–860
26. Получение терагерцового излучения в кристаллах InP : Fe за счет решеточной нелинейности второго порядка
    
    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  813–817
27. Экспресс-характеризация волноводных гетероструктур с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистcким законом дисперсии носителей методом спектроскопии фотолюминесценции при комнатной температуре
    
    Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  51–54
28. Терагерцевая лазерная генерация на гибридном поверхностном плазмоне в структуре на основе HgCdTe
    
    Квантовая электроника, 51:2 (2021),  158–163
29. Эффекты электрон-электронного взаимодействия в спектрах магнитопоглощения квантовых ям HgTe/CdHgTe с инвертированной зонной структурой
    
    Письма в ЖЭТФ, 112:8 (2020),  541–546
30. Зондирование состояний двухзарядного акцептора в гетероструктурах на основе CdHgTe с помощью оптического затвора
    
    Письма в ЖЭТФ, 111:10 (2020),  682–688
31. Непрерывное стимулированное излучение в области 10–14 мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1169–1173
32. Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3–5 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1163–1168
33. Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  929–932
34. Исследования фоточувствительности узкозонных и бесщелевых твердых растворов HgCdTe в терагерцовом и субтерагерцовом диапазоне частот
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  906–912
35. Особенности роста наноструктур для терагерцовых квантово-каскадных лазеров и их физические свойства
    
    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  902–905
36. Расчет волновых функций резонансных состояний акцепторов в узкозонных соединениях CdHgTe
    
    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  695–699
37. Особенности фотолюминесценции двойных акцепторов в гетероструктурах HgTe/СdHgTe с квантовыми ямами в терагерцовом диапазоне
    
    Письма в ЖЭТФ, 109:10 (2019),  679–684
38. Магнитопоглощение в квантовых ямах HgCdTe/CdHgTe в наклонных магнитных полях
    
    Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019),  184–190
39. Терагерцовая спектроскопия “двумерного полуметалла” в трехслойных квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 109:2 (2019),  91–97
40. Спектры остаточной фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe
    
    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1401–1404
41. Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1297–1302
42. Получение второй гармоники излучения субтерагерцовых гиротронов при удвоении частоты в InP : Fe и ее использование для магнитоспектроскопии полупроводниковых структур
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1244–1249
43. Исследование пороговой энергии оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами HgTe/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te в области 14 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1178–1181
44. Моделирование квантово-каскадных лазеров терагерцевого диапазона частот методом балансных уравнений на основе базиса волновых функций с уменьшенными дипольными моментами туннельно-связанных состояний
    
    Квантовая электроника, 49:10 (2019),  913–918
45. Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/Cd_xHg_1-xTe, излучающих на длине волны 18 мкм
    
    Квантовая электроника, 49:6 (2019),  556–558
46. Поляризационно-чувствительная фурье-спектроскопия квантовых ям HgTe/CdHgTe в дальнем ИК диапазоне в магнитном поле
    
    Письма в ЖЭТФ, 108:5 (2018),  352–358
47. Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 50 мкм и их использование для магнитоспектроскопии полупроводников
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1486–1490
48. Биполярная остаточная фотопроводимость в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с двойными квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1482–1485
49. Магнитооптика квантовых ям на основе HgTe/CdTe с гигантским расщеплением Рашбы в магнитных полях до 34 Тл
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1274–1279
50. Температурная зависимость порогового тока и выходной мощности квантово-каскадного лазера с частотой генерации 3.3 ТГц
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1268–1273
51. Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1263–1267
52. Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te
    
    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1257–1262
53. Magnetooptical studies and stimulated emission in narrow gap HgTe/CdHgTe structures in the very long wavelength infrared range
    
    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  464
54. Спектры модовых потерь в ТГц квантово-каскадных лазерах с двойным металлическим волноводом на основе Au и Ag
    
    Квантовая электроника, 48:11 (2018),  1005–1008
55. Магнитопоглощение дираковских фермионов в бесщелевых “трехслойных” квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
    
    Письма в ЖЭТФ, 106:11 (2017),  696–701
56. Активационная проводимость в квантовых ямах HgTe/CdHgTe при целочисленных факторах заполнения уровней Ландау: роль случайного потенциала
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1621–1629
57. Исследования волноводных структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe для получения длинноволнового стимулированного излучения
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1616–1620
58. Зонный спектр в гетероструктурах HgTe/CdHgTe $p$-типа и его перестройка с изменением температуры
    
    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1588–1593
59. Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs
    
    Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  40–44
60. Генерация терагерцового излучения в многослойных квантово-каскадных гетероструктурах
    
    Письма в ЖТФ, 43:7 (2017),  86–94
61. Терагерцовые инжекционные лазеры на основе твердого раствора PbSnSe с длиной волны излучения до 46.5 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1697–1700
62. Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1690–1696
63. Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
    
    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1679–1684
64. Магнитоспектроскопия двойных квантовых ям HgTe/CdHgTe
    
    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1554–1560
65. Терагерцовое излучение из квантовых ям CdHgTe/HgTe с инвертированной структурой зон
    
    Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  932–936
66. Перестройка частоты излучения терагерцового квантового каскадного лазера
    
    Письма в ЖТФ, 42:5 (2016),  15–23
67. Обменное усиление $g$-фактора электронов в двумерном полуметалле в квантовых ямах HgTe
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1676–1682
68. Длинноволновые инжекционные лазеры на основе твердого раствора Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se и их использование для спектроскопии твердого тела
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1672–1675
69. Циклотронный резонанс в квантовых ямах InAs/AlSb в магнитных полях до 45 Тл
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1665–1671
70. Исследование магнитопоглощения при различных температурах в гетероструктурах HgTe/CdHgTe с квантовыми ямами в импульсных магнитных полях
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1660–1664
71. Примесная фотопроводимость узкозонных структур кадмий–ртуть–теллур
    
    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1654–1659
72. Обменное усиление $g$-фактора электронов в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  196–203
73. Влияние прямого захвата дырок с испусканием оптических фононов на релаксацию примесной фотопроводимости в $p$-Si:B
    
    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  192–195
74. Антипересечение уровней Ландау в квантовых ямах HgTe/CdHgTe (013) с инвертированной зонной структурой
    
    Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  895–899
75. Магнитопоглощение в узкозонных эпитаксиальных слоях HgCdTe в терагерцовом диапазоне
    
    Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013),  1569–1574
76. Спиновое расщепление Рашбы и циклотронный резонанс в напряженных гетероструктурах InGaAs/InP с двумерным электронным газом
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1497–1503
77. Кинетика релаксации примесной фотопроводимости в $p$-Si : B с различным уровнем легирования и степенью компенсации в сильных электрических полях
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1472–1475
78. Особенности спектров и кинетики релаксации длинноволновой фотопроводимости в узкозонных эпитаксиальных пленках и гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
    
    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1446–1450
79. Циклотронный резонанс в узкозонных гетероструктурах на основе HgTe/CdTe(013) в квантующих магнитных полях
    
    Письма в ЖЭТФ, 95:8 (2012),  452–456
80. Диагностика квантовых каскадных структур оптическими методами в ближнем инфракрасном диапазоне
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1440–1443
81. Особенности остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами с туннельно-прозрачным барьером
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1424–1429
82. Особенности релаксации примесной фотопроводимости в кремнии, легированном бором
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1414–1418
83. Определение оптическими методами типа гетероперехода в структурах с квантовыми ямами GaAsSb/GaAs с различной долей сурьмы
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1402–1407
84. Исследования времен жизни и релаксации фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te
    
    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1388–1392
85. Спиновое расщепление Рашбы и обменное усиление $g$-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом
    
    Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1186–1193
86. Экспериментальное исследование умножителей частоты на полупроводниковых сверхрешетках в терагерцовом диапазоне частот
    
    Физика и техника полупроводников, 46:1 (2012),  125–129
87. Электрон-электронное и спин-орбитальное взаимодействие в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом
    
    Физика и техника полупроводников, 45:1 (2011),  111–119
88. Терагерцовая спектроскопия узкозонных гетероструктур с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe
    
    Письма в ЖЭТФ, 92:11 (2010),  837–841
89. Спиновое расщепление в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с квантовыми ямами
    
    Письма в ЖЭТФ, 92:1 (2010),  65–68
90. Циклотронный резонанс дырок в гетероструктурах InGaAs/GaAs с квантовыми ямами в квантующих магнитных полях
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1539–1542
91. Кинетика терагерцовой фотопроводимости в $p$-Ge в условиях примесного пробоя
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1523–1526
92. Исследование спектров излучения импульсных квантовых каскадных лазеров терагерцового диапазона с высоким спектральным разрешением
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1514–1518
93. Излучение и фотопроводимость в квантовых ямах GaAs/AlGaAs $n$-типа в терагерцовой области спектра: роль резонансных состояний
    
    Физика и техника полупроводников, 44:11 (2010),  1443–1446
94. Остаточная фотопроводимость в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами
    
    Физика и техника полупроводников, 44:5 (2010),  642–648
95. Напряженные структуры GaAsSb/GaAs с квантовыми ямами для лазеров диапазона 1.3 мкм
    
    Физика и техника полупроводников, 44:3 (2010),  422–429
96. Широкоапертурный детектор терагерцового излучения на основе транзисторной структуры GaAs/InGaAs со щелевым решеточным затвором большой площади
    
    Письма в ЖТФ, 36:8 (2010),  39–47
97. Резонансное детектирование терагерцового излучения в субмикронных полевых транзисторах GaAs/AlGaAs с двумерным электронным газом
    
    Физика и техника полупроводников, 43:4 (2009),  552–555
98. Эволюция времени фотоотклика приемника на циклотронном резонансе 2D электронов в GaAs/AlGaAs в условиях квантового эффекта Холла
    
    Физика и техника полупроводников, 43:2 (2009),  235–239
99. Генерация излучения разностной частоты в двухчиповом лазере
    
    Физика и техника полупроводников, 43:2 (2009),  220–223
100. Резонанс Фано в спектре примесной фотопроводимости InP, легированного мелкими донорами
     
     Физика твердого тела, 50:7 (2008),  1162–1165
101. Примесная фотопроводимость в напряженных гетероструктурах $p$-InGaAs/GaAsP
     
     Письма в ЖЭТФ, 88:3 (2008),  229–233
102. Обменное усиление $g$-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb
     
     Физика и техника полупроводников, 42:7 (2008),  846–851
103. Электронный транспорт и детектирование терагерцового излучения в субмикрометровом полевом транзисторе GaN/AlGaN
     
     Физика и техника полупроводников, 41:2 (2007),  238–241
104. Теоретическое и экспериментальное исследование ВАХ и ГАХ горячих дырок кремния
     
     Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1315–1323
105. Индуцированное циклотронное излучение тяжелых дырок в одноосно деформированном германии
     
     Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991),  718–722
106. Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при ${H}\not\parallel[001]$
     
     Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990),  825–828
107. Вольт-амперная характеристика и тепловая неустойчивость резистивного состояния сверхпроводящих пленок YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{y}$
     
     Письма в ЖТФ, 15:13 (1989),  83–86
108. Электроотражение аморфного гидрогенизированного углерода
     
     Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1302–1303
109. Циклотронный резонанс горячих дырок германия
     
     Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988),  1233–1238
110. Межподзонные оптические переходы горячих дырок в одноосно деформированном германии
     
     Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  479–484
111. Особенности электронной структуры углеродных конденсатов
     
     Физика твердого тела, 29:11 (1987),  3449–3451
112. Магнитные ловушки горячих дырок в кремнии
     
     Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  484–488
113. Спектральный состав излучения мазера на циклотронном резонансе тяжелых дырок в $Ge$
     
     Письма в ЖТФ, 13:10 (1987),  634–637
114. Люминесценция горячих дырок германия в субмиллиметровом диапазоне длин волн
     
     Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  369–377
115. Оптические свойства и структура пленок $a$-Si, свободных от подложки
     
     Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984),  2138–2141
116. Электроотражение кристаллов ZnP$_{2}$ моноклинной сингонии
     
     Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1712–1714
117. Электроотражение карбида кремния в видимой и ближней инфракрасной областях спектра
     
     Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1269–1271
118. Влияние аморфизации на энергетические состояния валентных электронов в кремнии
     
     Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983),  1642–1647
119. Наблюдение инверсии дырок в $\mathrm{G}$ в скрещенных $E$- и $H$-полях по спонтанному длинноволновому ИК излучению
     
     Докл. АН СССР, 267:2 (1982),  339–343
120. Магнетоплазменный резонанс в электронно-дырочных каплях в германии на субмиллиметровых волнах круговой поляризации
     
     Докл. АН СССР, 232:4 (1977),  802–805


121. Захарий Фишелевич Красильник (к 70-летию со дня рождения)
     
     Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  285–286
122. Захарий Фишелевич Красильник (к 70-летию со дня рождения)
     
     УФН, 188:1 (2018),  119–120