RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Дубинов Александр Алексеевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Непрерывный терагерцовый квантовый каскадный лазер, выращенный методом металлоорганической газофазной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 60:3 (2026),  148–153
  2. Коллимирующая оптическая система из полиметилпентена для квантово-каскадного лазера терагерцевого диапазона

    Письма в ЖТФ, 52:7 (2026),  44–47
  3. Терагерцовый квантовый каскадный лазер в квантующем магнитном поле

    Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025),  433–438
  4. Квантовые каскадные лазеры ТГц диапазона в магнитных полях

    Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024),  196–201
  5. Генерация длинноволнового стимулированного излучения в квантовых ямах HgCdTe с увеличенным энергетическим порогом оже-рекомбинации

    Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023),  311–316
  6. Оптические потери волновода со сверхпроводящими обкладками в терагерцовых квантово-каскадных лазерах

    Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  706–709
  7. Двухчастотное стимулированное излучение в гетероструктуре Hg(Cd)Te/CdHgTe

    Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  421–425
  8. Оптимизация параметров гетероструктуры CdHgTe/HgTe с одиночной квантовой ямой для генерации плазмон-фононов

    Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023),  237–242
  9. Рекомбинация в бесщелевой квантовой яме в гетероструктуре HgTe/CdHgTe

    Физика твердого тела, 64:2 (2022),  173–178
  10. Оптимизация гребенчатого волновода лазера на основе HgCdTe гетероструктуры для одномодовой генерации излучения дальнего ИК диапазона

    Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  855–857
  11. Влияние параметров квантовой ямы на спектр двумерных плазмонов в гетероструктурах HgTe/CdHgTe

    Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  973–977
  12. Влияние внутренних оптических потерь на генерацию стимулированного излучения в среднем ИК диапазоне в волноводных гетероструктурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe

    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  922–926
  13. Модель терагерцового квантово-каскадного лазера на основе двумерного плазмона

    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  869–871
  14. Расчет эффективности удвоения частоты излучения субтерагерцового гиротрона за счет решеточной нелинейности в монокристаллической пластине InP

    Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  855–860
  15. Получение терагерцового излучения в кристаллах InP : Fe за счет решеточной нелинейности второго порядка

    Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  813–817
  16. Оптимизация диэлектрического волновода для лазерных структур дальнего инфракрасного диапазона на основе HgTe/CdHgTe

    Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021),  455–459
  17. Терагерцевая лазерная генерация на гибридном поверхностном плазмоне в структуре на основе HgCdTe

    Квантовая электроника, 51:2 (2021),  158–163
  18. Непрерывное стимулированное излучение в области 10–14 мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1169–1173
  19. Исследование стимулированного излучения в гетероструктурах с квантовыми ямами HgTe/CdHgTe в окне прозрачности атмосферы 3–5 мкм

    Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1163–1168
  20. Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  929–932
  21. Исследование микроволнового поглощения в полупроводниках для устройств умножения частоты и управления выводом излучения непрерывных и импульсных гиротронов

    Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020),  878–883
  22. Анализ фононных мод и электрон-фононного взаимодействия в квантово-каскадных лазерных гетероструктурах

    Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020),  780–784
  23. Лазерный GaAs-диод с волноводными квантовыми ямами InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1718–1720
  24. Получение второй гармоники излучения субтерагерцовых гиротронов при удвоении частоты в InP : Fe и ее использование для магнитоспектроскопии полупроводниковых структур

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1244–1249
  25. Исследование пороговой энергии оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами HgTe/Cd$_{0.7}$Hg$_{0.3}$Te в области 14 мкм

    Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1178–1181
  26. Субмонослойные квантовые точки InGaAs/GaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1159–1163
  27. Моделирование квантово-каскадных лазеров терагерцевого диапазона частот методом балансных уравнений на основе базиса волновых функций с уменьшенными дипольными моментами туннельно-связанных состояний

    Квантовая электроника, 49:10 (2019),  913–918
  28. Генерация терагерцевого излучения на разностной частоте в лазере на основе HgCdTe

    Квантовая электроника, 49:7 (2019),  689–692
  29. Влияние содержания Cd в барьерах на пороговую энергию оже-рекомбинации в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgTe/CdxHg1-xTe, излучающих на длине волны 18 мкм

    Квантовая электроника, 49:6 (2019),  556–558
  30. Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1460–1463
  31. Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si

    Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1443–1446
  32. Стимулированное излучение в диапазоне 1.3–1.5 мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на кремниевых подложках

    Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1384–1389
  33. Снижение порога генерации с помощью легирования в лазерах среднего инфракрасного диапазона на основе HgCdTe с квантовыми ямами HgTe

    Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1100–1103
  34. Magnetooptical studies and stimulated emission in narrow gap HgTe/CdHgTe structures in the very long wavelength infrared range

    Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018),  464
  35. Стимулированное излучение на длине волны 1.3 $\mu$m в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001)

    Письма в ЖТФ, 44:16 (2018),  67–74
  36. Спектры модовых потерь в ТГц квантово-каскадных лазерах с двойным металлическим волноводом на основе Au и Ag

    Квантовая электроника, 48:11 (2018),  1005–1008
  37. Мощностные характеристики лазеров с волноводом на основе квантовых ям и блокирующими слоями

    Квантовая электроника, 48:4 (2018),  390–394
  38. Исследования волноводных структур с квантовыми ямами на основе HgCdTe для получения длинноволнового стимулированного излучения

    Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1616–1620
  39. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si

    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1579–1582
  40. Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке

    Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1530–1533
  41. Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb

    Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017),  1410–1413
  42. Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)

    Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  695–698
  43. Длинноволновое стимулированное излучение и времена жизни носителей в волноводных структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe

    Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1679–1684
  44. Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1509–1512
  45. Лазер на основе германия c гибридной поверхностной плазменной модой

    Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1469–1472
  46. Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке

    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  596–599
  47. Оптимизация гетеролазеров InGaP/GaAs/InGaAs с туннельно-связанными волноводами

    Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1619–1622
  48. Полупроводниковый лазер с туннельным $p$–$n$-переходом и выходом излучения через подложку

    Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1489–1491
  49. Наблюдение прямозонной электролюминесценции из GaAs-структуры с квантовыми ямами Ge

    Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  175–178
  50. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge

    Письма в ЖТФ, 41:13 (2015),  72–78
  51. Излучательные характеристики лазерных диодов на основе соединений А3В5, выращенных на германиевой подложке

    Письма в ЖТФ, 41:6 (2015),  105–110
  52. Нелинейное смешение гармоник в InGaAs/InGaP/GaAs-лазере на германиевой подложке

    Квантовая электроника, 45:3 (2015),  204–206
  53. Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры, выращенной на Si подложке

    Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014),  900–903
  54. Эффективность вертикального вывода излучения из волновода полупроводниковых лазеров с дифракционной решеткой

    Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  94–99
  55. Полупроводниковый лазер с вытеканием излучения через подложку и трапециевидной активной областью

    Квантовая электроника, 44:4 (2014),  286–288
  56. Роль оже-рекомбинации в определении пороговой плотности тока лазера зеленого диапазона длин волн

    Письма в ЖЭТФ, 97:5 (2013),  283–286
  57. Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs

    Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1486–1488
  58. Структурные и оптические свойства гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами Ge и Ge/InGaAs

    Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  621–625
  59. Волноводный эффект квантовых ям в полупроводниковых лазерах

    Квантовая электроника, 43:5 (2013),  401–406
  60. Исследования времен жизни и релаксации фотопроводимости в гетероструктурах с квантовыми ямами Hg$_x$Cd$_{1-x}$Te/Cd$_y$Hg$_{1-y}$Te

    Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012),  1388–1392
  61. Пикосекундная динамика фотолюминесценции гетероструктуры InGaAs/GaAs с квантовыми ямами

    Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  940–943
  62. Модовая структура в дальнем поле излучения многоямного лазера с выходом излучения через подложку

    Квантовая электроника, 42:10 (2012),  931–933
  63. Аномальные характеристики лазеров с большим числом квантовых ям

    ЖТФ, 81:7 (2011),  149–151
  64. Одновременная генерация мод TE$_1$ и TE$_2$ с разными длинами волн в полупроводниковом лазере с туннельным переходом

    Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  652–656
  65. Полупроводниковый лазер с выводом излучения через подложку с улучшенными энергетическими характеристиками и сверхузкой диаграммой направленности

    Квантовая электроника, 40:10 (2010),  855–857
  66. Terahertz laser based on optically pumped graphene: model and feasibility of realization

    Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009),  70–74
  67. Одновременная генерация $TE_0$- и $TE_1$-мод с разными длинами волн в полупроводниковом лазерном диоде

    ЖТФ, 79:11 (2009),  150–152
  68. Генерация излучения разностной частоты в двухчиповом лазере

    Физика и техника полупроводников, 43:2 (2009),  220–223
  69. Внутрирезонаторная генерация разностной частоты терагерцевого диапазона в двухчастотном InGaAsP/InP-лазере с квантовыми ямами InGaAs

    Квантовая электроника, 39:8 (2009),  727–730
  70. Перестраиваемый источник терагерцового излучения на основе генерации разностной частоты в кристалле GaP

    Письма в ЖЭТФ, 88:12 (2008),  905–907
  71. Эффективная генерация первой волноводной моды в гетеролазере InGaAs/GaAs/InGaP

    Физика и техника полупроводников, 42:3 (2008),  361–364
  72. Генерация излучения на разностной частоте в дальнем и среднем ИК диапазонах в двухчиповом лазере на основе арсенида галлия с германиевой подложкой

    Квантовая электроника, 38:9 (2008),  855–858
  73. Генерация излучения на разностной частоте в среднем и дальнем ИК диапазонах с использованием субпико- и пикосекундных полупроводниковых лазеров

    Квантовая электроника, 38:2 (2008),  149–153
  74. Генерация излучения на разностной частоте среднего и дальнего инфракрасных диапазонов в полупроводниковых волноводах на основе фосфида галлия

    ЖТФ, 76:9 (2006),  98–100

© МИАН, 2026