Физика
Особенности магнитотранспортных свойств монокристаллов Mo$_x$W$_{1-x}$Te$_2$ ($x = 0; 0.7$)
А. Н. Перевалова,
Б. М. Фоминых,
В. В. Чистяков,
В. В. Марченков Институт физики металлов им. М. Н. Михеева УрО РАН, Екатеринбург, Россия
Аннотация:
Магнитотранспортные свойства монокристаллов Mo
$_{0.7}$W
$_{0.3}$Te
$_{2}$ и WTe
$_{2}$ исследованы при температурах от 4.2 до 80 К и в магнитных полях до 10 Тл. Сделаны оценки концентрации и подвижности электронных и дырочных носителей тока в исследуемых образцах при температуре 4.2 К. Установлено, что подвижность носителей в монокристалле WTe
$_{2}$ на порядок величины превышает значения, полученные для Mo
$_{0.7}$W
$_{0.3}$Te
$_{2}$, что связано с его более высокой «электрической» чистотой. Показано, что в WTe
$_{2}$ наблюдается минимум на температурной зависимости сопротивления в магнитном поле 10 Тл при температуре 60 К, который можно объяснить переходом от эффективно сильных к слабым магнитным полям. Отсутствие подобного минимума для монокристалла Mo
$_{0.7}$W
$_{0.3}$Te
$_{2}$ обусловлено тем, что область эффективно сильных магнитных полей для него не достигается. Установлено, что сопротивление Холла WTe
$_{2}$ квадратично зависит от магнитного поля при температуре 4.2 К, что связано с раскомпенсацией электронов и дырок, а также с рассеянием носителей заряда на поверхности образца, в то время как для Mo
$_{0.7}$W
$_{0.3}$Te
$_{2}$ наряду с квадратичным наблюдается линейный вклад в холловское сопротивление, причиной которого может быть наличие большого числа дефектов и примесей в кристалле, что приводит к уменьшению длины свободного пробега носителей и, следовательно, к уменьшению вклада электрон-поверхностного рассеяния.
Ключевые слова:
дихалькогениды переходных металлов, топологические полуметаллы,
Mo$_{0.7}$W$_{0.3}$Te$_{2}$,
WTe$_{2}$, монокристаллы, магнитотранспортные свойства.
УДК:
537.9
Поступила в редакцию: 10.08.2024
Исправленный вариант: 22.09.2024
DOI:
10.47475/2500-0101-2024-9-4-658-669