Аннотация:
В работе проводилось исследование структуры нанопленочных покрытий и подложек при эпитаксиальном осаждении. Теоретические исследования осуществлялись методом молекулярной динамики (потенциал Леннарда-Джонса). Заращивание подложки осуществлялось равномерным напылением атомов по нормали по отношению к подложке. В качестве осаждаемых атомов рассматривались атомы цинка и серы, в некоторых случаях производилось добавление атомов меди долей 5 %. Управляющими параметрами процесса являлись количество добавляемых атомов в единицу времени и их общее число. Начальная скорость осаждаемых атомов была постоянной. Скоростные параметры менялись только при взаимодействии осаждаемых атомов с подложкой. Для проведения теоретических исследований использовался пакет программ для параллельных вычислительных процессов LAMMPS. В работе рассмотрен анализ структуры как подложки из оксида алюминия (пористой и сплошной), так и осаждаемых атомов цинка, серы, меди. Во всех случаях структура материалов была аморфной.