Аннотация:
В статье рассмотрены вопросы разработки технологии изготовления Si(Li)p-i-n фотодетекторов, а также исследованы электрофизические и радиометрические характеристики системы сцинтиллятор–Si(Li)p-i-n фотодетектор для регистрации рентгеновских и гамма лучей малой интенсивности.