RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Computational nanotechnology // Архив

Comp. nanotechnol., 2017, выпуск 1, страницы 54–55 (Mi cn111)

НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Examination and assessment of electrophysical and radiometric characteristics of the Si(Li)p-i-n-photodetecting plasticscintillation system

[Исследование и оценка электрофизических и радиометрических характеристик Si(Li)p-i-n фотодетектор-пластмассовый сцинтиллятор]

R. A. Muminov, S. A. Radzhapov, B. S. Radzhapov

Institute of Physics and Technology, Scientific and Production Association «Physics-Sun» of the Academy of Sciences of the Republic of Uzbekistan

Аннотация: В статье рассмотрены вопросы разработки технологии изготовления Si(Li)p-i-n фотодетекторов, а также исследованы электрофизические и радиометрические характеристики системы сцинтиллятор–Si(Li)p-i-n фотодетектор для регистрации рентгеновских и гамма лучей малой интенсивности.

Ключевые слова: полупроводниковый детектор, фотодетектор, сцинтиллятор, гамма излучение, рентгеновское излучение.

Язык публикации: английский



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024