Двухпереходные AxGa1-xP /GaP/ Gayin1-yP фотодиоды селективной чувствительностью в фиолетовой и ближне ультрафиолетовой полосах спектра

Приведены структуры и фотоэлектрические свойства двухпереходных гетерофотодиодных структур на основе AlxGa1-xP ($0 \le x \le 0.6$) и GayIn1-yP ($0.6 \le y \le 0.7$), а также их основные параметры. Показано, что исследованные гетерофотодиоды обладают разделенной спектральной чувствительностью в фиолетовой и ультрафиолетовой (УФ) полосах спектра, перспективных в системах абсорбционного спектрофотометрического анализа и контроля горения органических веществ дифференциальным методом.