Аннотация:
В данной работе представлены особенности производства детекторов ядерного излучения диаметром до 10 мм и толщиной до 1,4 мм, на основе Al-nGe-pSi-Au структур. Показаны особенности вольтамперных и радиометрических характеристик.
Ключевые слова:полупроводниковый Al-nGe-pSi-Au детектор, монокристаллический кремний, чувствительная область, «мертвый» слой.