Исследования некоторых явлений в АФН-структурах с изовалентными примесями для разработки приборов и устройств неразрушающего контроля и измерения

В данной работе представлено полупроводниковые пленки, легированные изовалентными примесями с аномально большим фотоэлектрический эффектом. Представлено АФН-фотоприемник автономного типа со стабильными параметрами и хорошими деградационными характеристиками и в результате разработаны оптоэлектронные измерительные трансформаторы напряжения (ОИТН) и тока (ОИТТ).