Исследование модифицированных фотодиодных структур со встречно включенными переходами для применения в измерителях затухания оптической мощности

В настоящей работе, на основе экспериментальных данных, приведены результаты исследования оптико-электрических характеристик двухбарьерных фотодиодных Ag-NGaAs-nGaInAs-Ag-структур, используемых в качестве приемников оптических сигналов, также приводятся их усилительные характеристики, а также рассмотрена возможность их применения в измерителях затухания оптической мощности.