Полупроводниковые детекторы ядерного излучения на основе гетерепереходных структур Al-$\alpha$Ge-pSi-Au для измерения малоинтенсивных ионизирующих излучений

В данной работе рассмотрены технологические особенности изготовления детекторов ядерного излучения диаметром до 100 мм и толщиной до 0,5 мм, на основе Al-nGe-pSi-Au структур. Исследованы особенности вольтамперных и радиометрических характеристик детектора.