RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Computational nanotechnology // Архив

Comp. nanotechnol., 2020, том 7, выпуск 4, страницы 68–71 (Mi cn322)

ПИСЬМА В РЕДАКЦИЮ

Математическое моделирование диффузионного процесса полупроводникового детектора

Р. А. Муминовa, Ё. К. Тошмуродовb, Г. Ж. Эргашевa, М. О. Явкочдиевb

a Институт материаловедения Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
b Каршинский филиал Ташкентского института инженеров ирригации и механизации сельского хозяйства

Аннотация: В статье рассмотрено математическое моделирование технологического процесса дрейфа координатно-чувствительных детекторов на основе кремния с ядерным излучением, размер датчика которого составляет $50 \times 50 \times 1,5$ мм и $8$ полос, и проведено сравнение между ними.

Ключевые слова: диффузия, дрейф, поверхностная концентрация, диффузия, активация, энергия.

УДК: 621.376.234

Поступила в редакцию: 15.11.2020

DOI: 10.33693/2313-223X-2020-7-4-68-71



© МИАН, 2024