Аннотация:
Подробно на основе ряда экспериментальных и запатентованных работ обоснована конкурентная эффективность солнечного элемента с нетрадиционными контактными структурами. Показано, что эффективность солнечного элемента зависит от инновационного выбора его контактирующих материалов (нано размерный кристаллический халкогенид свинца и бесструктурный некристаллический кремний). Рассмотрены специфические электрофизические свойства PbX и Si, обеспечивающие значительное улучшение преобразующих свойств солнечного элемента. Представлен специфический механизм формирования контактного поля за счет участия носителей тока с локализованных дефектных энергетических состояний запрещенной зоны кремния. Решением уравнения Пуассона проведен расчет параметров контактного поля нано-гетероперехода <Si:PbХ>.