Компьютерное моделирование смачивающих слоев Li и Be на поверхности Si (100)

В рамках теории функционала плотности и метода псевдопотенциалов рассчитана атомная и электронная структура формирующихся на поверхности Si (100) двумерных систем Li–Si и Be–Si, при толщине металла от одного до трех монослоев (МС). При одном МС обнаружено формирование двумерного упорядоченного силицидного смачивающего слоя Li (с атомами Li, встроенными внутрь верхнего слоя Si) и Be (с атомами Be, встроенными между двумя верхними слоями Si). При двух МС, происходит видоизменение этих слоев: атомы Li занимают позиции между двумя верхними слоями Si, а атомы Be поднимаются в позиции над верхним слоем Si. После этого, при толщине покрытия 3 МС, в случае Li, формируется сплошной неупорядоченный смачивающий слой Li, а в случае Be – смачивающий слой Be в виде неупорядоченных по длине цепочек. При 1 МС, в электронной структуре исследуемых систем появляется энергетическая щель в плотности электронных состояний в районе уровня Ферми, ширина которой равна 1,02 и 0,36 эВ, соответственно, для систем Li–Si и Be–Si. Затем щель исчезает, сначала для системы с литием (при двух МС), а затем, – для системы с бериллием (при трех МС).