RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Computational nanotechnology // Архив

Comp. nanotechnol., 2014, выпуск 1, страницы 31–34 (Mi cn5)

МОДЕЛИРОВАНИЕ НАНОСИСТЕМ И НАНОЭЛЕКТРОНИКА

Математическое моделирование процесса магнитного перезамыкания в трехмерной магнитной конфигурации с особой точкой высокого порядка

Е. Ю. Ечкина

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, факультет вычислительной математики и кибернетики

Аннотация: Математическое моделирование процессов в высокотемпературной плазме является важным элементом изучения поведения лабораторной и космической плазмы. Трехмерные нелинейные магнитогидродинамические модели позволяют адекватно описывать такие тонкие и интересные явления, как образование магнитных островов в плазме токамака, возникновение токовых слоев и замков. Эти явления обусловлены перезамыканием магнитных силовых линий, причем пространственные размеры этих объектов составляют нанометры, а соответствующие плазменные образования приобретают новые и неожиданные свойства. В рамках развития нанотехнологий большой интерес представляет моделирование распространения электромагнитных волн в плазменных структурах

Ключевые слова: магнитное перезамыкание, магнитный остров, структурная устойчивость.



© МИАН, 2024