RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Computational nanotechnology // Архив

Comp. nanotechnol., 2024, том 11, выпуск 3, страницы 161–176 (Mi cn500)

МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ, ЧИСЛЕННЫЕ МЕТОДЫ И КОМПЛЕКСЫ ПРОГРАММ

Pulsed tunnel effect: new perspectives for controlling superconducting devices

[Импульсный туннельный эффект: новые перспективы управления сверхпроводящими устройствами]

R. Kh. Rakhimov

Institute for Material Sciencies of Academy of Sciencies of Republic Uzbekistan

Аннотация: Статья посвящена исследованию импульсного туннельного эффекта и его новым перспективам в управлении сверхпроводящими устройствами. Рассматривается квантовая природа электрического сопротивления, включая квантовый эффект Холла, квантовое сопротивление Клитцинга и эффект Джозефсона. Особое внимание уделено роли квантовых размерных эффектов в формировании электрического сопротивления наноструктур и молекулярных проводников. Статья освещает новые перспективы использования импульсного туннельного эффекта для управления характеристиками сверхпроводящих устройств.

Ключевые слова: Импульсный туннельный эффект, сверхпроводящие устройства, квантовый эффект Холла, квантовое сопротивление Клитцинга, эффект Джозефсона, квантовые размерные эффекты, наноструктуры, молекулярные проводники.

УДК: 666.3.017:620.18

Язык публикации: русский и английский

DOI: 10.33693/2313-223X-2024-11-3-161-176



© МИАН, 2024