Особенности технологии формирования Si(Li) p-i-n детекторов ядерного излучения больших размеров

В настоящей работе рассматриваются физико-технологические особенности изготовления Si(Li) детекторов ядерного излучения больших размеров (Ø$\ge$ 60 мм, W=4 мм), когда для формирования необходимой Si(Li) p-i-n структуры используется новый метод проведения процесса дрейфа ионов лития при помощи воздействия импульсного электрического поля.