Э. З. Имамов, Т. А. Джалалов, Р. А. Муминов, Р. Х. Рахимов, “Отличительные особенности контактных структур с наноразмерными включениями полупроводниковых фотодиодов”, Comp. nanotechnol., 2016, выпуск 3,страницы 196

Эта публикация цитируется в 3 статьях

НАУЧНАЯ ШКОЛА РАХИМОВА Р.Х.
НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫЕ МАТЕРИАЛЫ

Отличительные особенности контактных структур с наноразмерными включениями полупроводниковых фотодиодов

Э. З. Имамов^a, Т. А. Джалалов^a, Р. А. Муминов^b, Р. Х. Рахимов^c

^a Ташкентский университет информационных технологий
^b Физико-Технический Институт. Научно-производственное объединение «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
^c Институт Материаловедения. Научно-производственное объединение «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан

Аннотация: В комплексе работ [1-5] была разработана модель принципиально новой контактной структуры, которая формируется напылением освещаемой поверхности технического кремния электроемкими нановключениями из другого полупроводника. Фотопреобразователь на её основе проявляет уникальные электрофизические свойства. В данной работе показаны основные структурные отличия нового контакта от традиционных полупроводниковых фотодиодов.

Ключевые слова: солнечная энергетика, солнечный элемент, нановключения, квантовые точки, наноразмерная контактная структура, наноразмерный «p-n переход».