ФИЗИКА

Сверхтонкая структура линии электронного парамагнитного резонанса $\mathrm{Mn}^{2+}$ с $g$-фактором $\sim4,3$ в халькогенидных стеклах $\mathrm{Tl}_2\mathrm{SeAs}_2\mathrm{Se}_3$, $\mathrm{Tl}_2\mathrm{SAs}_2\mathrm{S}_3$ и $\mathrm{Tl}_2\mathrm{TlAs}_2\mathrm{Tl}_3$

В. Н. Лазукин, И. В. Чепелева

Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова

УДК: 541.67-161.6:538.113

Статья представлена к публикации: Л. А. Арцимович
Поступило: 10.07.1966