ФИЗИКА

Сенсибилизированный фотолиз на полупроводниках как принцип длинноволновой фотографии

А. Д. Саблин-Яворский, Л. М. Беляев, В. М. Фридкин

Институт кристаллографии АН СССР, г. Москва

Статья представлена к публикации: А. В. Шубников
Поступило: 20.01.1970