КРИСТАЛЛОГРАФИЯ

Зародышеобразование доменов в реальных кристаллах триглицинсульфата в переменных электрических полях

Л. И. Донцова^ab, Н. А. Тихомирова^ab, С. А. Пикин^ab, Л. А. Шувалов<sup>ab

a</sup> Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова АН СССР, г. Москва
^b Волгоградский инженерно-строительный институт

УДК: 548.0.537

Статья представлена к публикации: Н. В. Белов
Поступило: 27.11.1978