ФИЗИКА

Туннелирование в системах $\mathrm{GaAs}$–$\mathrm{V}$ и $\mathrm{GaAs}$–$\mathrm{V}_3\mathrm{Si}$

В. Ю. Федотов, Е. М. Савицкий

Институт металлургии им. А. А. Байкова АН СССР, г. Москва

УДК: 537.312.52

Поступило: 02.06.1981