В. Г. Цирельсон, М. Ю. Антипин, В. А. Стрельцов, Р. П. Озеров, Ю. Т. Стручков, “Распределение электронной плотности и градиент электрического поля в гематите при $153$ К по прецизионным рентгеновским дифракционным данным”, Докл. АН СССР, 1988, том 298, номер 5,страницы 1137

КРИСТАЛЛОГРАФИЯ

Распределение электронной плотности и градиент электрического поля в гематите при $153$ К по прецизионным рентгеновским дифракционным данным

В. Г. Цирельсон^ab, М. Ю. Антипин^ab, В. А. Стрельцов^ab, Р. П. Озеров^ab, Ю. Т. Стручков^ab

^a Московский химико-технологический институт им. Д.И. Менделеева
^b Институт элементоорганических соединений им. А.Н. Несмеянова АН СССР, г. Москва

УДК: 548.736

Статья представлена к публикации: Б. К. Вайнштейн
Поступило: 09.12.1986