ФИЗИКА

Влияние состояния поверхности $\mathrm{GaAs}$ перед осаждением $\mathrm{Si}$ на процесс $\delta$-легирования

В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, И. Н. Котельников, Ю. В. Федоров

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва

УДК: 538.971:621.793

Поступило: 21.06.1993