RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Доклады Академии наук // Архив

Докл. РАН, 1996, том 346, номер 5, страницы 616–618 (Mi dan50005)

ФИЗИКА

Критический ток в композитах ВТСП + полупроводник с различной концентрацией носителей

М. И. Петров, Д. А. Балаев, К. А. Шайхутдинов, Б. П. Хрусталев, К. С. Александров

Институт физики им. Л. В. Киренского СО РАН, г. Красноярск

УДК: 537.612.62

Поступило: 12.07.1995



© МИАН, 2024