RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Доклады Российской академии наук. Математика, информатика, процессы управления // Архив

Докл. РАН. Матем., информ., проц. упр., 2025, том 527, страницы 270–281 (Mi danma685)

СПЕЦИАЛЬНЫЙ ВЫПУСК: ТЕХНОЛОГИИ ИСКУССТВЕННОГО ИНТЕЛЛЕКТА И МАШИННОГО ОБУЧЕНИЯ

Автоматизация входного контроля транзисторов с помощью моделей глубокого обучения и анализ их латентного пространства

А. С. Черноваab, Ф. П. Мещаниновa, Д. А. Жевненкоacd, Е. С. Горневab

a АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники», Москва, Россия
b Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Московская облаcть, г. Долгопрудный
c Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
d AIRI - научно-исследовательский институт искусственного интеллекта, г. Москва

Аннотация: Надежная автоматизация входного контроля транзисторов в микроэлектронике требует выявления отклонений в многоканальных вольт-амперных характеристиках, однако пороговые и простые статистические схемы слабо обобщаются на новые и экспериментальные структуры, не обнаруживают ранее невиданные дефекты и игнорируют нелинейные межканальные зависимости. Мы предлагаем фреймворк детектирования аномалий на основе нейросетевых моделей, обучаемых на результатах контроля нормальных устройств. В рамках фреймворка мы сравниваем семейство автоэнкодеров (MLP/LSTM/CAE) и специализированные методы (USAD, GBAD), а также исследуем полученные латентные пространства для интерпретации работы нейросетей. Разработанный фреймворк был верифицирован на основе 14.2 тысяч ВАХ полевых транзисторов 180 нм с экспертной разметкой. На тесте лучший результат продемонстрировали модели GBAD (F1 = 0,857) и регуляризованный CAE (F1 = 0,857). Результаты задают воспроизводимые бейзлайны для обнаружения аномалий в многоканальных I-V-данных транзисторов и подчеркивают преимущество явного моделирования межканальной структуры и анализа латентных представлений для повышения переносимости и интерпретируемости.

Ключевые слова: входной контроль, транзисторы, вольт-амперная характеристика, автоматизация, аномалия, глубокое обучение.

УДК: 004.048

Поступило: 20.08.2025
Принято к публикации: 30.09.2025

DOI: 10.7868/S2686954325070239



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025