Аннотация:
Установлено, что при взаимодействии компонентов в системе Si–C–N$_2$ в режиме горения можно получить композит Si$_3$N$_4$/SiC с массовым содержанием SiC 5 $\div$ 60% и доминирующим содержанием $\beta$-модификации нитрида кремния. Выявлено, что путем разбавления исходной смеси конечными продуктами можно повысить долю $\alpha$-Si$_3$N$_4$, однако это приводит к появлению некоторого количества непрореагировавшего кремния в продуктах. Показано, что применение химической активации позволяет в одностадийном режиме получить композит Si$_3$N$_4$/SiC с любым содержанием индивидуальных компонентов (от 0 до 100%), а также чистый карбид кремния.