Численное моделирование резонансных “запрещённых” отражений в кристалле Ge

“Запрещённые” отражения наблюдаются при дифракции синхротронного излучения с длинами волн, близкими к краям поглощения, в кристаллах. В настоящей работе предлагается новый метод расчёта интенсивности термоиндуцированных запрещённых отражений. Он включает в себя два этапа: моделирование мгновенных тепловых атомных смещений с помощью метода “ab initio” молекулярной динамики и последующее квантовомеханическое вычисление амплитуды резонансного рассеяния для различных конфигураций. Эта методика использована для расчёта температурного поведения интенсивности отражения 600 в Ge и хорошо объясняет экспериментальные данные. Предложенный метод моделирования запрещённых термоиндуцированных отражений годится для любых кристаллических структур и может объяснить многие результаты, полученные к настоящему времени на синхротронах.