Фотовольтаические токи и активность структурных дефектов монокристалла сегнетоэлектрика–полупроводника TlInS$_{2}$ : La

Приведены результаты исследования электрически активных дефектов кристаллической структуры в слоистом кристалле сегнетоэлектрика-полупроводника TlInS$_{2}$ : La методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии (PICTS). Обнаружены состояния кристалла, различающиеся величиной фотоотклика, изменяющегося в пределах четырех порядков, что интерпретируется на основе различия в состоянии доменной структуры кристалла. Обсуждаются особенности регистрации термоэмиссии с дефектов при наличии дополнительного вклада фотовольтаической составляющей реакции кристалла на возбуждение светом.