Фазовое равновесие при образовании карбида кремния за счет топохимического превращения из кремния

Методами линейной алгебры найден базис из независимых химических реакций в системе топохимического превращения кремния в карбид кремния за счет реакции с монооксидом углерода. На основе этого базиса рассчитана фазовая диаграмма давление – поток, описывающая состав твердой фазы для конкретной конструкции вакуумной печи. Показано, что для роста чистого SiC необходимо обеспечивать давление монооксида углерода меньше определенного значения, а его поток – больше определенного значения, зависящих от температуры процесса. При расчете топохимической реакции впервые учтены упругие поля вокруг образующихся вакансий. Показано, что анизотропия этих полей в кубическом кристалле увеличивает константу основной реакции примерно в 4 раза.