RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2024, том 66, выпуск 3, страницы 377–385 (Mi ftt10255)

Полупроводники

Механизм резистивного переключения в мемристорах на основе металлоорганических перовскитов

Н. И. Алексеевab, А. Н. Алешинa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проанализированы механизмы токопереноса в пленке металлорганического перовскита. Показано, что ток определяется преимущественно переносом ионов галогена и галогеновых вакансий, а вольт-амперные характеристики (ВАХ) структуры металл|перовскит|металл должны быть близки к экспоненциальным. Полученные экспериментальные ВАХ до момента резистивного переключения хорошо описываются моделью переноса электронов по границам зерен перовскита. Показана также возможность специфического механизма переключения, связанная с разбиением объема пленки на вихревые ячейки типа ячеек Бенара. Сделана оценка возможного размера таких ячеек и порога их образования.

Ключевые слова: электропроводность, диссипативные структуры, физическая модель.

Поступила в редакцию: 29.12.2023
Исправленный вариант: 08.02.2024
Принята в печать: 11.02.2024

DOI: 10.61011/FTT.2024.03.57478.278



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025