Сверхпроводимость наноструктурированного сплава Ga–Sn

Представлены исследования сверхпроводимости сплава галлия и олова эвтектического состава, введенного в поры опаловой матрицы. Были проведены низкотемпературные измерения статической и динамической намагниченности в широком диапазоне магнитных полей. Обнаружено три сверхпроводящих перехода. На фазовой диаграмме $H$–$T$ в области малых магнитных полей наблюдалась положительная кривизна критических линий, которая объяснена в рамках модели, учитывающей эффект близости. Для двух переходов показано, что движение сверхпроводящих вихрей является термически активированным. Построены аррениусовские кривые и рассчитаны энергии активации для различных полей смещения. На полевой зависимости энергии активации наблюдалось резкое уменьшение активационных барьеров в области значений магнитных полей, при которых происходит изменение типа кривизны критических линий, что было связано с трансформациями в системе сверхпроводящих вихрей.