Численное моделирование конструкции сверхпроводящего сигма-нейрона

Представлены результаты численного моделирования распределения сверхпроводящих токов в прототипе адиабатического сигма-нейрона, реализованного в 2023 г. в виде многослойной тонкопленочной структуры над толстым сверхпроводящим экраном. Расчет проводился в программе 3D-MLSI, допускающей учет трехмерной конструкции экспериментального образца. Получено хорошее согласование значений собственных индуктивностей частей сигма-нейрона с ранее полученными численными оценками. Показано, что сверхпроводящий экран не обеспечивает достаточной независимости элементов нейрона, что выражается в ненулевых значениях соответствующих компонент матрицы индуктивностей. Это соответствует имеющимся экспериментальным данным и требует обобщения ранее предложенных моделей стационарного состояния сверхпроводящего сигма-нейрона. Предложен метод компенсации паразитной связи задающего и считывающего элементов нейрона путем изменения формы управляющей линии.