Исследование сверхпроводящих линий передачи на основе NbTiN/Al и накачки СИС-переходов Nb/AlN/NbN в частотном диапазоне выше 1 THz

Исследованы сверхпроводящие линии передачи на основе NbTiN/Al в качестве высокочастотных линий для работы на частотах до 1.1 THz. Численно смоделированы и изготовлены схемы для исследования поглощения в тонкопленочных структурах, содержащие приемную щелевую антенну ТHz диапазона, набор микрополосковых линий передачи NbTiN/Al, а также согласованные с линией два THz-детектора на основе туннельного перехода Nb/AlN/NbN вида “сверхпроводник–изолятор–сверхпроводник”. Проведен эксперимент по регистрации внешнего сигнала источника (лампы обратной волны) на частоте около 1.1 THz, демонстрирующий успешную работу разработанных линий передачи NbTiN/Al на частотах выше 1 THz, где неприменимы традиционные линии передачи на основе Nb. Проведен анализ теплового эффекта при воздействии на детектор излучением источника, которое приводит к мощной накачке туннельного перехода.