Аннотация:
Исследованы технология осаждения и основные свойства тонких слоев вольфрама и иридия, перспективных для создания сверхпроводящих низкотемпературных микрокалориметров диапазона температур от 15 до 100 mK. Получены сверхпроводящие слои $\alpha$-фазы вольфрама с низкой температурой сверхпроводящего перехода $T_c$$\sim$15 mK и сверхпроводящие слои иридия с $T_c$$\sim$170 mK, которые могут послужить основой для формирования бислоев с температурой сверхпроводящего перехода в диапазоне 15–100 mK.