RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2024, том 66, выпуск 7, страницы 1133–1143 (Mi ftt10368)

Металлы

Эволюция структуры при превращении Si в SiC методом самосогласованного замещения атомов

С. А. Кукушкинa, М. Г. Воробьевa, А. В. Осиповa, А. С. Гращенкоa, Е. В. Убыйвовкab

a Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: На примере формирования эпитаксиальных слоев карбида кремния на кремнии методом согласованного замещения атомов проведены исследования эволюции структуры при фазовых превращениях в многокомпонентных кристаллах с химическими реакциями. Обнаружено существенное изменение во времени микроструктуры и свойств слоев образующегося SiC. Анализ микроструктуры и свойств слов SiC/Si проведен при помощи метода фотолюминесценции (ФЛ), метода дифракции быстрых электронов (ДБЭ), метода спектроскопической эллипсометрии (СЭ), а эволюция структуры межфазной границы раздела SiC-Si исследована при помощи метода растровой электронной микроскопии (РЭМ). Установлено, что в течение первых пяти минут синтеза происходит изменение реконструкции поверхности SiC, кроме того, упругие деформации сменяются с сжимающих на растягивающие. Обнаружено, что в процессе синтеза SiC на Si(111) в результате реконструкции поверхности SiC может сформироваться как структура (3 $\times$ 3), так и структура (2 $\times$ 1).

Ключевые слова: карбид кремния на кремнии, реконструкция поверхности, топохимические реакции, упругие деформации, люминесценция, диффузионная зона, наноструктуры, эволюция микроструктуры, AlN, GaN, AlGaN.

Поступила в редакцию: 14.05.2024
Исправленный вариант: 14.05.2024
Принята в печать: 15.05.2024

DOI: 10.61011/FTT.2024.07.58385.120



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025