RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2024, том 66, выпуск 8, страницы 1397–1402 (Mi ftt10406)

Сегнетоэлектричество

Модификация технологии изготовления и основные характеристики пьезокерамики BiScO$_3$–PbTiO$_3$

Е. Г. Гукa, Е. П. Смирноваa, В. Н. Климовb, П. А. Панкратьевa, Н. В. Зайцеваa, А. В. Сотниковa, Е. Е. Мухинa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
b ГНЦ ФГУП "ЦНИИ конструкционных материалов "Прометей", Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Предложена модифицированная технология изготовления керамики методом двустадийного обжига, в которой охлаждение от высокотемпературной первой стадии до низкотемпературной второй происходит без принудительного охлаждения. Проведено исследование влияния режима охлаждения между двумя стадиями обжига на пьезоэлектрические модули керамики. С помощью модифицированной технологии синтезирована высокотемпературная керамика состава 0.36BiScO$_3$–0.64PbTiO$_3$, и исследованы ее структурные и пьезоэлектрические параметры. Показано, что керамика имеет тетрагональную структуру $(P4mm)$ с составом вблизи морфотропной фазовой границы, как и твердый раствор того же состава, синтезированный по традиционной одностадийной технологии. Синтезированная по новой технологии керамика характеризуется высокой плотностью, составляющей 97% от теоретически возможной. Средние размеры ее зерен находятся в пределах 0.8–1.0 $\mu$m. Полученная величина пьезоэлектрического модуля $d_{33}$ в образцах, изготовленных с использованием модифицированной технологии, достигает 525 pC/N.

Ключевые слова: пьезоэлектрическая керамика, технология двустадийного отжига, оптимизация.

DOI: 10.61011/FTT.2024.08.58606.123



© МИАН, 2025