RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2024, том 66, выпуск 9, страницы 1514–1519 (Mi ftt10424)

Полупроводники

Формирование квазидвумерных слоев наночастиц висмута в эпитаксиальных пленках арсенида галлия

Е. Д. Поленокab, Н. А. Бертa, А. А. Ивановa, Л. А. Снигиревa, В. И. Ушановa, В. В. Преображенскийc, М. А. Путятоc, Б. Р. Семягинc, М. А. Яговкинаa, В. В. Чалдышевa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
c Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия

Аннотация: Путем дельта-легирования висмутом слоёв арсенида галлия в процессе низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии с последующим отжигом получены квазидвумерные слои наночастиц висмута в матрице эпитаксиального арсенида галлия. Низкая температура эпитаксии обеспечивает формирование в объеме материала высокой концентрации дефектов нестехиометрии, в первую очередь антиструктурных дефектов [As$_{\mathrm{Ga}}$] и вакансий галлия. Миграция этих дефектов в процессе отжига приводит к формированию как мелких преципитатов в слоях низкотемпературного GaAs, так и более крупных нановключений, обогащенных висмутом и расположенных на дельта-слоях Bi.

Ключевые слова: нестехиометрический GaAsBi, молекулярно-лучевая эпитаксия, преципитация, рентгеновсквя дифрактометрия, просвечивающая электронная микроскопия, оптическое поглощение.

DOI: 10.61011/PSS.2024.09.59214.183



© МИАН, 2025